6 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 6 / 6
Öğe Wet chemical methods for producing mixing crystalline phase ZrO 2 thin film(Elsevier, 2016-07) Pakma, Osman; Özdemir, Cengiz; Kariper, İshak Afşin; Özaydın, Cihat; Güllü, ÖmerThe aim of the study is to develop a more economical and easier method for obtaining ZrO 2 thin films at lower temperature, unlike the ones mentioned in the literature. For this purpose, wet chemical synthesis methods have been tested and XRD, UV-VIS and SEM analysis of ZrO 2 thin films have been performed. At the end of the analysis, we identified the best method and it has been found that the features of the films produced with this method were better than the films produced by using different reagents, as well as the films reported in the literature. Especially it has been observed that the transmittance of the film produced with this method were higher and better than the films in the literature and the others. In addition, refractive index of the film produced with this method was observed to be lower. Moreover, by using the same method Al/ZrO 2 /p-Si structure has been obtained and it has been compared with Al/p-Si reference structure in terms of electrical parameters.Öğe Morphological, structural and optical characteristics of graphene oxide layers and metal/interlayer/semiconductor photovoltaic diode application(National Institute of Research and Development for Optoelectronics, 2018) Güllü, Ömer; Çankaya, MuratThis work describes the optical, morphological and structural characterizations of graphene oxide (GO) layers grown by drop casting and annealing process. UV-vis optical measurement shows that the values of direct and indirect optical gap energy of the GO film are 3.89 eV and 3.21 eV, respectively. The graphene oxide (GO) layer has been placed in the metal/ interlayer /semiconductor (MIS) diodes (total 17 devices) on p-Si wafers. The graphene oxide diodes give a better barrier height enhancement as compared with the conventional diodes. The value of homogeneous barrier height for Al/GO/p-Si MIS junctions was extracted as 0.74 eV. The diodes were also investigated under 300 watt light illumination for photovoltaic applications. Additionally, interfacial properties of the MIS diode with GO interlayer were determined. It has been seen that the capacitance of the device changes as a function of gate voltage and signal frequency from the capacitance-frequency measurements. It has also been reported that the interfacial trap charges reduce the capacitance with increasing frequency values.Öğe Farklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-23) Nergiz, Kadir; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.Öğe On the energy distribution profile of interface states obtained by taking into account of series resistance in Al/TiO2/p–Si (MIS) structures(Elsevier, 2011-02-15) Pakma, Osman; Serin, Necmi; Serin, Saliha Tülay; Altındal, ŞemsettinThe energy distribution profile of the interface states (Nss) of Al/TiO2/pSi (MIS) structures prepared using the solgel method was obtained from the forward bias currentvoltage (IV) characteristics by taking into account both the bias dependence of the effective barrier height (φe) and series resistance (Rs) at room temperature. The main electrical parameters of the MIS structure such as ideality factor (n), zero-bias barrier height (φb0) and average series resistance values were found to be 1.69, 0.519 eV and 659 Ω, respectively. This high value of n was attributed to the presence of an interfacial insulator layer at the Al/pSi interface and the density of interface states (Nss) localized at the Si/TiO2 interface. The values of Nss localized at the Si/TiO2 interface were found with and without the Rs at 0.25-Ev in the range between 8.4×10 13 and 4.9×1013 eV-1 cm-2. In addition, the frequency dependence of capacitancevoltage (CV) and conductancevoltage (G/ω-V) characteristics of the structures have been investigated by taking into account the effect of Nss and R s at room temperature. It can be found out that the measured C and G/ω are strongly dependent on bias voltage and frequency.Öğe Barrier enhancement of Al/n-InP Schottky diodes by graphene oxide thin layer(Scientific Publishers, 2019) Güllü, Ömer; Çankaya, Murat; Rajagopal Reddy, VarraIn the present work, the surface morphology, structural and optical features of graphene oxide (GO) films are investigated. The Al/GO/n-InP MIS diode is formed by depositing GO layer on n-InP wafer for the barrier enhancement. Interfacial properties of the MIS diode with GO interlayer are extracted from current–voltage (I–V) measurement. The simple diode parameters such as barrier height and ideality factor are extracted from I–V plots, and the values are compared with those of conventional Al/n-InP MS contact. The value of barrier height (BH) for the Al/GO/n-InP contact is found as 0.85 eV. The BH value of 0.85 eV of the Al/GO/n-InP MIS structure is as high as around 100% compared to the value of 0.43 eV of the Al/n-InP reference contacts. We have showed that the value of 0.85 eV is one of the highest values presented for reference contacts with an interlayer.Öğe Sol jel yöntemiyle hazırlanan Cr:CuO/n-Si fotodiyotlarin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Toprak, Şeyhmus; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada, sol jel döndürerek kaplama yöntemi ile katkısız ve Cr katkılı CuO ince filmler n-Si alttaşların üzerine kaplandı. Hazırlanan bu ince filmlerle heteroeklem yapılı CuO/n-Si (CC1), Cu0,75Cr0,25O/n-Si (CC2), Cu0,50Cr0,50O/n-Si (CC3), Cu0,25Cr0,75O/n-Si (CC4), CrO/n-Si (CC5) diyotlar elde ederek, bu diyotların optoelektriksel özellikleri incelendi. Üretilen diyotların I-V karakteristikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık yoğunluğu altında incelendi. I-V ölçümleri kullanılarak bu diyotların idealite faktörüleri (n), bariyer yükseklikleri (ΦB) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Norde fonksiyonunu ile diyotların hem karanlıkta hemde ışık altında bariyer yükseklikleri ve seri dirençleri (RS) hesaplandı. Üretilen diyotların kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G-V) ve seri direnç-voltaj (Rs-V), karakteristikleri 10kHz-1MHz frekans aralığında incelendi. Ayrıca ürettiğimiz diyotların ters beslem (C-2-V) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd (cm3), Vbi (eV), Nc(cm-3), Ef (eV), Փb(C-V)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV), Emax (V/cm) gibi parametreleri hesapladı.
