10 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 10 / 10
Öğe Trimetilolpropane triakrilat (TMPTA) arayüze sahip metal-polimer-yarıiletken (MPS) aygıtların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-06-10) Özenç, Mehmet Emin; Pakma, OsmanBu çalışmada Trimetilolpropane Triakrilat (TMPTA) Polimer arayüze sahip Metal-Polimer-Yarıiletken (MPS) aygıtların oda sıcaklığında akım - gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) analizleri incelenmiştir. Al/TMPTA/p-Si (MPS) yapısının karanlık altındaki akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirilerek; doğrultma oranı (RR), idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕB) ve seri direnç (Rs) gibi aygıt parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri ile diğer elektriksel parametreler belirlenmiştir. Sonuçlar literatür ile karşılaştırılmış, TMPTA fotopolimer organik arayüzey tabakasının MPS aygıtlarının fabrikasyonu için iyi bir aday olduğu görülmüştür.Öğe Silikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-06-10) Akın, Ersin; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında silikon tabanlı BPW41N (PIN) fotodiyotunun elektriksel karakterizasyonu gerçekleştirilerek, elektriksel parametreler belirlenmiş ve bu parametreler aracılığı ile baskın olan akım iletim mekanizması hakkında bilgi edilmeye çalışılmıştır. 80-300K sıcaklıkları arasında akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden PIN foto diyotumuzun uygulanan gerilim değeri ile seri direnç etkisine bağlı olarak sapma meydana geldiği görülmüştür. Baskın akım-iletim mekanizmasına göre elektriksel belirtkenler tayin edilmiştir. Ayrıca Norde ve Cheung metodundan yararlanarak aygıtımızın seri direnci belirlenmeye çalışılmıştır. Oda sıcaklığında Norde fonksiyonu ile seri direnç ve engel yüksekliği 147 Ω ve 0,881 eV ve Cheung metodu ile de seri direnç 2,77 ve 2,076 Ω, engel yüksekliği 2,083 Ω, ve 0,654 eV olarak hesaplanmıştır. Bu farklılıklar akım-iletim mekanizması ve yöntemlere bağlı olarak yorumlanmıştır.Öğe Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-06-23) Demir, Arif; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında katkısız ve gümüş (Ag) katkılı HfO2 ince filmler p-Si yüzeylere sol-jel daldırma metoduyla kaplanmış; yüzey analizleri X-ışını kırınım desenleri (XRD) ile incelenmiş ve elektriksel karakterizayonları ise oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alınarak yapılmıştır. Katkısız ve Ag katkılı Al/HfO2/p-Si (MIS) yapılarının oda sıcaklığındaki I-V analizlerinden idealite faktörleri (n), doyum akım yoğunlukları (I0) ve engel yükseklikleri (ϕB) tayin edilmiştir. İlgili parametre değişimleri yapılardaki seri direnç etkileri de dikkate alınarak incelenmiş olup, arayüzey durum yoğunlukları belirlenmiştir. Sonuç olarak katkılamanın yapılardaki elektriksel parametreler üzerindeki etkisi raporlanmış ve literatür ile karşılaştırması yapılmıştır.Öğe Organik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri(Batman Üniversitesi, 2019-05-03) Aydın, Hilal; Güllü, ÖmerBu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2’lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptirÖğe Electrical characterization of the Al/new fuchsin/n-Si organic-modified device(Elsevier, 2010-03) Güllü, Ömer; Asubay, Sezai; Turut, Abdulmecit; Aydoğan, ŞakirThe current–voltage (I–V) and the capacitance–voltage (C–V) characteristics of the Al/new fuchsin (NF)/n-Si device have been investigated at room temperature. The I–V characteristic of the device shows a good rectification. The ideality factor and the barrier height from the I–V characteristics have been determined as 3.14 and 0.80 eV, respectively. A modified Norde's function combined with the conventional I–V method has been used to extract the parameters including the barrier height and the series resistance. The barrier height and the series resistance obtained from Norde's function have been compared with those from Cheung functions, and it has been seen that there was a good agreement between those from both method. It has also been seen that the values of diode capacitance increased up to the constant values for the forward bias.Öğe Tellüroksit (TeO2) arayüzeye sahip MOS yapıların elektriksel özelliklerin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-26) Dönmez, Ebru; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında tellüroksit (TeO2) malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine termal buharlaştırma metoduyla katkılanarak Al/TeO2/p-Si metal/oksit/yarıiletken (MOS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle TeO2/p-Si oksit tabakasının X-ışını kırınım (XRD) metoduyla kristal yönelimleri tayin edilmiştir. Elde edilen Al/TeO2/p-Si (MOS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,55 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,76 eV olarak hesaplanmıştır. Yapımızın idealite faktörü değerinin 1’den büyük çıkması Al/p-Si arasındaki oksit arayüzey filminin varlığı ve arayüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Norde ve Cheung metoduyla da seri direnç (Rs) analizleri gerçekleştirilmiştir. Ayrıca Al/TeO2/p-Si (MOS) yapımızın frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; tellüroksit (TeO2) oksit malzemesi, aygıt teknolojisinde kullanılan silisyumoksit malzemesine alternatif malzemelere potansiyeldir.Öğe Selüloz nanokristal (CNC) arayüzeye sahip metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapılı aygıtların karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-12) Bilge, Hicran; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine uygulayarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle analiz çalışmaları için ayrılan nanoselülözün; dinamik ışık saçılımı spektrometresi (DLS), zeta potansiyeli, ultraviyole ve görünür ışık (UV-Vis) soğurma spektroskopisi, raman spektrometresi ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) analizleri yapılmıştır. Daha sonra elde edilen Al/CNC/p-Si (MIS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,72 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,80 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan idealite faktörü değerinden büyük çıkması Al/p-Si arasındaki CNC ara yüzey filminin varlığı ve ara yüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Ayrıca yapının seri direnç (Rs) etkisi de dikkate alınmış; Norde ve Cheung yöntemiyle Rs değeri hesaplanmıştır. Son olarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapımızın C-V ölçümlerinden; frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi elektronik aygıt uygulamalarında kullanılabilecek yalıtkan malzemelere potansiyeldir.Öğe Barrier modification by methyl violet organic dye molecules of Ag p InP structures(European Journal of Interdisciplinary Studies, 2016-05) Güllü, ÖmerThis work includes fabrication and electrical characterization of Metal/Interlayer/Semiconductor (MIS) structures with methyl violet organic film on p-InP wafer. Metal(Ag)/ Interlayer (methyl violet =MV)/Semiconductor(p-InP) MIS structure presents a rectifying contact behavior. The values of ideality factor (n) and barrier height (BH) for the Ag/MV/p-InP MIS diode by using the current-voltage (I-V) measurement have been extracted as 1.21 and 0.84 eV, respectively. It was seen that the BH value of 0.84 eV calculated for the Ag/MV/p-InP MIS structure was significantly higher than the value of 0.64 eV of Ag/p-InP control contact. This situation was ascribed to the fact that the MV organic interlayer increased the effective barrier height by influencing the space charge region of inorganic semiconductor. The values of diffusion potential and barrier height for the Ag/MV/p-InP MIS diode by using the capacitance-voltage (C-V) measurement have been extracted as 1.21 V and 0.84 eV, respectively. The interface-state density of the Ag/MV/p-InP structure was seen to change from 2.57×1013 eV-1cm-2 to 2.19×1012 eV-1cm-2Öğe A novel device behavior of al/coronene/n-gaas/in organicbased schottky barrier diode(Jomard Publishing, 2019) Akın, Ümmühan; Yüksel, Ömer Faruk; Pakma, Osman; Koralay, Haluk; Çavdar, Şükrü; Tuğluoğlu, Nihat. A new Schottky barrier diode of Al/Coronene/n-GaAs/In was successfully prepared using spincoating method. The interface state and electrical properties of Al/Coronene/n-GaAs Schottky barrier diode have been studied by current– voltage (I–V) data in dark and light. The key diode parameters such as ideality factor, Schottky barrier height, rectification ratio, series and shunt resistances were evaluated from I–V data. The effective forward conduction mechanisms were determined as the thermionic emission at low voltage. Results obtained at room temperature (300 K) showed highly rectifying devices under dark and light. The barrier height ( B ) of the diode was obtained as 0.901 eV and 0.842 eV under dark and light, respectively. The ideality factor (n) of the diode was calculated to be 1.49 and 1.82 under dark and light, respectively. The values of series resistance ( ) Rs obtained from Cheung-Cheung technique were determined to be 18 and 16 under dark and light, respectively. The interface states density (Nss) of the Shottky device exhibits an exponential decrease with bias from 5.31x1010 eV-1 cm-2 and 7.24x1010 eV-1 cm-2 at (Ec-0.338) eV to 1.84x1010 eV-1 cm-2 and 2.17x1010 eV-1 cm-2 at (Ec-0.640) eV under dark and light, respectively.Öğe Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2025-02-09) Odunveren, Remzi; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında oksit arayüzeyi katkısız ve %1, %5, %10 alüminyum (Al) katkılı Al/ZrO2/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların elektriksel özellikleri incelenmiştir. Oksit tabakası ZrO2 kimyasal banyo depolama tekniği kullanılarak p tipi silisyum üzerine büyütülmüştür. Öncelik büyütülmüş ZrO2 ince filmin yapısal analizi x-ışını kırınım difraktometresi (XRD) ile yapılmıştır. Daha sonra tüm Al/ZrO2/p-Si (MOS) yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlık altında gerçekleştirilmiştir. I-V ölçümlerinden faydalanarak diyot elektriksel parametreleri tayin edilmiştir. Yine I-V ölçümlerinden Norde ve Cheung yöntemi kullanılarak yapıların seri direnç etkileri belirlenmiştir. Belirlenen parametreler literatürde karşılaştırılarak Al katkısının etkisi raporlanmıştır.
